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半導體元件物理學 第三版(上冊)

半導體元件物理學 第三版(上冊)

  • ISBN/ISSN:9789868439511
  • 出版單位:國立交通大學
  • 開數:18開
  • 版次:初版
  • 價格:定價$900

書籍介紹

本書為半導體元件領域的標準教科書以及參考書,使讀者立即獲得重要的元件物理知識以及詳細的元件特性,包含主要的雙載子、場效、微波、光子以及偵測元件,為了使工程師、科學家、大學教師以及學生了解今日所使用最重要的元件,以及評估未來元件的品質與限制,本書提供了實踐的基礎。為了採用及參考本書的研究生需要設計,新版的內容包含:將最新的發展徹底更新、例如三維MOSFETs、MODETs、共振穿隧二極體、半導體偵測器、量子Cascade雷射、單電子電晶體、real-space transfer以及更多的元件。並將材料完全重新組織、在每一章的後面設立問題集。

目次

目錄
導論
第一部份 半導體物理
第一章 半導體物理及特性—回顧篇
1.1 簡介
1.2 晶體結構
1.3 能帶與能隙
1.4 熱平衡狀態下的載子濃度
1.5 載子傳輸現象
1.6 聲子、光和熱特性
1.7 異質接面與奈米結構
1.8 基本方程式與範例
第二部份 元件建構區塊
第二章 p-n接面
2.1 簡介
2.2 空乏區
2.3 電流-電壓特性
2.4 接面崩潰
2.5 暫態行為與雜訊
2.6 終端功能
2.7 異質接面
第三章 金屬-半導體接觸
3.1 簡介
3.2 位障的形成
3.3 電流傳輸過程
3.4 位障高度的量測
3.5 元件結構
3.6 歐姆接觸
第四章 金屬-絕緣體-半導體電容器
4.1 簡介
4.2 理想MIS電容器
4.3 矽MOS電容器
第三部份 電晶體
第五章 雙載子電晶體(BJT)
5.1 簡介
5.2 靜態特性
5.3 微波特性
5.4 相關元件結構
5.5 異質接面雙載子電晶體
第六章 金氧半場效電晶體(MOSFET)
6.1 簡介
6.2 基本元件特性
6.3 非均勻摻雜與埋入式通道元件
6.4 元件微縮與短通道效應
6.5 MOSFET結構
6.6 電路應用
6.7 非揮發性記憶體元件
6.8 單電子電晶體
第七章 接面場效電晶體(JFET)、金屬半導體場效電晶體(JFET)以及調變摻雜場效電晶體(MODFET)
7.1 簡介
7.2 JFET和MESFET
7.3 MODFET
附錄
符號表
國際單位系統(SI Units)
單位前綴詞
希臘字母
物理常數
重要半導體的特性
Si與GaAs之特性
SiO2 與Si3N4 之特性
索引

分類 其他詳細資訊
  • 英文題名:Physics of Semiconductor Devices
  • 出版品網址(線上版或試閱版):連結
  • 適用對象:成人(學術性)
  • 關鍵詞:半導體,電晶體
  • 附件:其他:
  • 頁/張/片數:576
授權資訊
  • 著作財產權管理機關或擁有者:國立交通大學出版社
  • 取得授權資訊:聯絡人:程惠芳聯絡電話:03-5731784聯絡地址:新竹市大學路1001號