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半導體元件物理學第四版(上冊)

半導體元件物理學第四版(上冊)

  • ISBN/ISSN:9789865470289
  • 出版單位:國立陽明交通大學
  • 開數:18開
  • 版次:初版
  • 價格:定價$900

書籍介紹

《半導體元件物理學》(Physics of Semiconductor Devices)這本經典著作,一直為主修應用物理、電機與電子工程,以及材料科學的大學研究生的主要教科書之一。由於本書包括許多在材料參數及元件物理上的有用資訊,因此也適合研究與發展半導體元件的工程師及科學家們當作主要參考資料。
Physics of Semiconductor Devices第三版在2007 年出版後(中譯本上、下冊分別在2008 年及2009 年發行),已有超過1,000,000 篇與半導體元件的相關論文被發表,並且在元件概念及性能上有許多突破,顯然需要推出更新版以繼續達到本書的功能。在第四版,有超過50% 的材料資訊被校正或更新,並將這些材料資訊全部重新整理。
全書共有「半導體物理」、「元件建構區塊」、「電晶體」、「負電阻與功率元件」與「光子元件與感測器」等五大部分:第一部分「半導體物理」包括第一章,總覽半導體的基本特性,作為理解以及計算元件特性的基礎;第二部分「元件建構區塊」包含第二章到第四章,論述基本的元件建構區段,這些基本的區段可以構成所有的半導體元件;第三部分「電晶體」以第五章到第八章來討論電晶體家族;第四部分從第九章到第十一章探討「負電阻與功率元件」;第五部分從第十二章到第十四章介紹「光子元件與感測器」。(中文版上冊收錄一至七章、下冊收錄八至十四章)

目次

第一部分 半導體物理
第一章 半導體物理及特性──回顧篇
1.1 簡介
1.2 晶體結構
1.3 能帶與能隙
1.4 熱平衡狀態下的載子濃度
1.5 載子傳輸現象
1.6 聲子、光和熱特性
1.7 異質接面與奈米結構
1.8 基本方程式與範例
第二部分 元件建構區塊
第二章 p-n接面
2.1 簡介
2.2 空乏區
2.3 電流—電壓特性
2.4 接面崩潰
2.5 暫態行為與雜訊
2.6 終端功能
2.7 異質接面
第三章 金屬—半導體接觸
3.1 簡介
3.2 位障的形成
3.3 電流傳輸過程
3.4 位障高度的量測
3.5 元件結構
3.6 歐姆接觸
第四章 金屬-絕緣體—半導體電容器
4.1 簡介
4.2 理想MIS電容器
4.3 矽MOS電容器
4.4 MOS電容器的載子傳輸
第三部分 電晶體
第五章 雙極性電晶體?(BJT)
5.1 簡介
5.2 靜態特性
5.3 雙極性電晶體的緊密模型
5.4 微波特性
5.5 相關元件結構
5.6 異質接面雙極性電晶體
5.7 自熱效應
第六章 金氧半場效電晶體?(MOSFET)
6.1 簡介
6.2 基本元件特性
6.3 非均勻摻雜與埋入式通道元件
6.4 元件微縮與短通道效應
6.5 MOSFET結構
6.6 電路應用
6.7 負電容場效電晶體與穿隧場效電晶體
6.8 單電子電晶體
第七章 非揮發性記憶體元件
7.1 簡介
7.2 浮動閘極概念
7.3 元件結構
7.4 浮動閘極記憶單元的緊密模型
7.5 多層單元與三維結構
7.6 應用與尺寸微縮挑戰
7.7 替代性結構
附錄
A. 符號表
B. 國際單位系統(SI Units)
C. 國際單位前置字
D. 希臘字母
E. 物理常數
F. 重要半導體的特性
G. 倒置晶格的布洛赫理論與週期性能量
H. Si與GaAs的特性
I. 波茲曼傳輸方程式與氫動態模型
J. SiO2 與Si3N4 的特性
K .雙極性電晶體的緊密模型
L. 浮動閘極記憶體效應的發現
索引

編/著/譯者簡介

著者
施敏
國立陽明交通大學電機工程學系名譽教授、IEEE Fellow、中央研究院院士及美國國家工程院院士。施敏教授為半導體元件作出了根本的開創性貢獻,特別是共同發現導致第四次工業革命的浮閘記憶體(Floating-Gate Memory, FGM)效應。曾撰寫、合著和編輯了400多篇論文和16本書。
李義明
國立陽明交通大學電機工程學系教授,曾在史丹福大學、格勒諾布林科技學院和日本東北大學當過客座教授。在期刊、會議和書籍章節上發表過300多篇技術文章。李博士是IEEE的積極成員,曾在包括IEDM在內的許多國際專業會議的技術委員會任職,並曾榮獲潘文淵文教基金會研究金獎和中國電氣工程學會傑出青年電氣工程師獎。
伍國王玉
美國韋恩州立大學歐洲經委會產業顧問委員會成員、國立陽明交通大學兼任教授、EEE Life Fellow。伍博士於1980年加入貝爾實驗室,其後在其旗下朗訊科技和阿格雷系統服務。2007年至2019年,任職於美國最大的民間半導體研究機構 Semiconductor Research Corporation(SRC),曾任IEEE Electron Device Letters期刊編輯。出版過多本著作,包括Complete Guide to Semiconductor Devices一書。
譯者
顧鴻壽
臺北海洋科技大學創新設計學院專任教授兼院長。國立交通大學電子所博士畢業,曾任職於工業技術研究院、光電半導體產業,日本大阪大學客員教授、日本半導體研究所、日本東京大學、韓國慶熙大學等訪問學者,編輯有光電平面顯示器、有機發光二極體、太陽能電池元件概論、第三代半導體材料及元件等相關性教科用書籍,發表多篇國際性期刊論文及獲得多項發明專利。
陳密
明新科技大學化學工程與材料科技系教授。國立交通大學材料系博士畢業,曾任職於中山科學研究院,其後轉入教職,曾任明新科技大學材料系主任、學務長、通識教育中心主任。主要研究領域為奈米碳管與石墨烯等碳材料之純化與應用,曾發表多篇碳材料期刊論文與獲得多項專利。

分類

其他詳細資訊

  • 適用對象:成人(學術性)
  • 關鍵詞:半導體,物理學,電機,電子工程,應用物理,材料
  • 附件:無附件
  • 頁/張/片數:688

授權資訊

  • 著作財產權管理機關或擁有者:國立陽明交通大學
  • 取得授權資訊:聯絡處室:國立陽明交通大學出版社 姓名:專責人員 電話:03-5712121-50155 地址:新竹市大學路1001號